[VIP第1年] 指数:3
所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition两个选项卡，Pin Mapping跟IBIS 规范定义的Pin Mapping 一样，它指定了每个管脚对应的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的对应关系；Bus Definition用来定义总线Bus和相关的时钟参考信号。对于包 含多个Component的IBIS模型，可以通过右上角Component T拉列表进行选择。另外，如果 提供芯片每条I/O 口和电源地网络的分布参数模型，则可以勾选Explicit IO Power and Ground Terminals选项，将每条I/O 口和其对应的电源地网络对应起来，以更好地仿真SSN效应，这 个选项通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。如何执行DDR3的一致性测试？北京PCI-E测试DDR3测试
创建工程启动SystemSI工具，单击左侧Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜单项,在弹出的WorkspaceFile对话框中选择Createanewworkspace,单击OK按钮。在弹出的SelectModule对话框中选择ParallelBusAnalysis模块，单击OK按钮。选择合适的License后弹出NewWorkspace对话框在NewWorkspace对话框中选择Createbytemplate单选框，选择个模板addr_bus_sparam_4mem,设置好新建Workspace的路径和名字，单击0K按钮。如图4-36所示，左侧是Workflow,右侧是主工作区。
分配旧IS模型并定义总线左侧Workflow提示第2步为AssignIBISModels,先给内存控制器和SDRAM芯片分配实际的IBIS模型。双击Controller模块，在工作区下方弹出Property界面，左侧为Block之间的连接信息，右侧是模型设置。单击右下角的LoadIBIS...按钮，弹出LoadIBIS对话框。 重庆PCI-E测试DDR3测试DDR3一致性测试是否需要经常进行？
多数电子产品，从智能手机、PC到服务器，都用着某种形式的RAM存储设备。由于相 对较低的每比特的成本提供了速度和存储很好的结合，SDRAM作为大多数基于计算机产品 的主流存储器技术被广泛应用于各种高速系统设计中。
DDR是双倍数率的SDRAM内存接口，其规范于2000年由JEDEC （电子工程设计发展 联合协会）发布。随着时钟速率和数据传输速率不断增加带来的性能提升，电子工程师在确 保系统性能指标，或确保系统内部存储器及其控制设备的互操作性方面的挑战越来越大。存 储器子系统的信号完整性早已成为电子工程师重点考虑的棘手问题。
高速DDRx总线概述
DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» 中 文名可理解为“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR SDRAM是在原单倍速率SDR SDRAM 的基础上改进而来的，严格地说DDR应该叫作DDR SDRAM,人们习惯称之为DDR。
DDRx发展简介
代DDR （通常称为DDR1）接口规范于2000年由JEDEC组织 发布。DDR经过几代的发展，现在市面上主要流行DDR3,而的DDR4规范也巳经发 布，甚至出现了部分DDR4的产品。Cadence的系统仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 DDR3内存的一致性测试是否会降低内存模块的寿命？
DDR3拓扑结构规划：Fly・by拓扑还是T拓扑
DDR1/2控制命令等信号，均采用T拓扑结构。到了 DDR3,由于信号速率提升，当负 载较多如多于4个负载时，T拓扑信号质量较差，因此DDR3的控制命令和时钟信号均釆用 Fly.by拓扑。下面是在某项目中通过前仿真比较2片负载和4片负载时，T拓扑和Fly-by拓 扑对信号质量的影响，仿真驱动芯片为Altera芯片，IBIS文件 为arria5.ibs, DDR颗粒为Micron颗粒，IBIS模型文件为v70s.ibs。
分别标示了两种拓扑下的仿真波形和眼图，可以看到2片负载 时，Fly-by拓扑对DDR3控制和命令信号的改善作用不是特别明显，因此在2片负载时很多 设计人员还是习惯使用T拓扑结构。 DDR3一致性测试是否适用于双通道或四通道内存配置？重庆PCI-E测试DDR3测试
DDR3内存的一致性测试包括哪些内容？北京PCI-E测试DDR3测试
至此，DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮，在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释，连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，则也可以选择Updateo
设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。
On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大，特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同，所以退出控制器 设置窗口后，Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉，表明这两个模块间连接有问题， 暂时不管，等所有模型设置完成后再重新连接。 北京PCI-E测试DDR3测试
文章来源地址: http://yiqiyibiao.chanpin818.com/zyyqyb/txjcyq/deta_23179189.html
免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。
