苏州HVAC暖通行业温湿度传感器维修 苏州知非机电设备供应

VAISALA维萨拉是许多半导体制造厂测定钨的CMP研磨液中H2O2浓度的仪器供应商Published:三月17,2021工业测量液体测量化学机械研磨/抛光(CMP)将化学反应和机械研磨结合在一起，是一项成本高昂且具有挑战性的重要纳米抛光工艺。这一工艺是集成电路制造中关键的使能步骤，对产量和工作效率都会产生影响。CMP简介抛光工艺使用含氧化剂的浆料完成，氧化剂通常为过氧化氢(H2O2)。在制造过程中，将晶圆和抛光垫紧密地压在一起，同时使二者各自以略微不同的速度逆时针旋转。将浆料铺在抛光垫中心，然后结合运用机械操作和化学操作，逐步除去晶圆表面的材料，使晶圆表面局部和整体都顺滑平坦。使用CMP浆料前，先在工厂对其进行混合或稀释。氧化物抛光浆料在购买时通常为浓缩状态，使用前在现场加水稀释，以减少运输和人工成本。一些多组分抛光浆料只能随用随混，因为这些浆料在混合后有效期很短。确保正确地混合至关重要，EE31-PFTB35/AB6-T24  EE300Ex 型号EE300EX-HT6SADBxxxDxAT/MTx002Uw001温湿度传感器EE220-E-S31D07/ABX-T04 .苏州HVAC暖通行业温湿度传感器维修

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维萨拉HUMICAP®180VC适用于过氧化氢(H2O2)环境并配化学***功能的催化传感器准确度(含非线性、迟滞性和可重复性)+15...+25°C(+59…+77°F)±1%RH(0...90%RH)±1.7%RH(90...100%RH)-20...+40°C(-4...+104°F)±(1.0+0.008x读数)%RH-40...+180°C(-40...+356°F)±(1.5+0.015x读数)%RH工厂校准不确定性(+20°C)±0.6%RH(0...40%RH)*±1.0%RH(40...97%RH)**定义为±2标准偏差限值。可能存在细微变动；另可参见校准证书。+20°C(+68°F)条件下的响应时间(90%)采用格栅过滤器时为17秒气流速度0.1m/s采用格栅及不锈钢网过滤器时为50秒采用烧结过滤器时为60秒温度HMT311-40...+60°C(-40...+140°F)HMT313-40...+80°C(-40...+176°F)or-40...+120°C(-40...+248°F)HMT314,HMT315,HMT317,HMT318-70...+180°C(-94...+356°F)HC2-SH，HC2-S3H，HC2-S ，HC2-S3，HC2-SH高温探头HC2-S3H，HC2-SM温湿度探头HC2-HK25 HC2-HK40 HC2-WIN-USB.

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