[VIP第1年] 指数:3
带抽头的二次独自绕组的不同变比和不同准确度等级，可以分别应用于电能计量、指示仪表、变送器、继电保护等，以满足各自不同的使用要求。
组合式电流电压互感器。组合式互感器由电流互感器和电压互感器组合而成，多安装于高压计量箱、柜，用作计量电能或用作用电设备继电保护装置的电源。组合式电流电压互感器是将两台或三台电流互感器的一次，黄浦区高精度激光干涉仪、二次绕组及铁心和电压互感器的一、二次绕组及铁心，固定在钢体构架上，浸入装有变压器油的箱体内，其一、二次绕组出线均引出，接在箱体外的高，黄浦区高精度激光干涉仪、低压瓷瓶上，黄浦区高精度激光干涉仪，形成绝缘、封闭的整体。一次侧与供电线路连接，二次侧与计量装置或继电保护装置连接。 传感头的紧凑和模块化设计，以及柔性玻璃纤维使得能够在整个工作范围内快速安装和快速对齐。黄浦区高精度激光干涉仪
电压影响
1 当电压自额定值偏离±10%(对比率表和由化学电源和交流电网作供电电源的兆欧表)、±15%(对整流系仪表和钳形表)或±20%(对其它仪表)时，由此引起仪表指示值的改变应不超过规定值。仪表辅助电路用电源、由内附手摇发电机作供电电源的兆欧表，当其电压自额定值偏离±10%时，指示值改变应不超过表7 规定值的一半。指示值改变的表示方法与基本误差表示方法相同。试验在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点进行，整步表在同步点进行。如果在仪表上注明额定电压范围，则在此范围内的任一电压下，仪表基本误差应不超过规定值。
2 检验电压影响时应遵守有关规定(对电压的规定除外)，且应除去变差影响(可轻敲表壳)。检验相位表和功率因数表时，在额定电流下进行；检验功率表时在额定功率因数下进行。 上海激光干涉仪其工作接近技术和物理的极限。
干涉仪应用：几何精度检测可用于检测直线度、垂直度、俯仰与偏摆、平面度、平行度等。位置精度的检测及其自动补偿可检测数控机床定位精度、重复定位精度、微量位移精度等。利用雷尼绍ML10激光干涉仪不仅能自动测量机器的误差，而且还能通过RS232接口自动对其线性误差进行补偿，比通常的补偿方法节省了大量时间，并且避免了手工计算和手动数控键入而引起的操作者误差，同时可比较大限度地选用被测轴上的补偿点数，使机床达到比较好精度，另外操作者无需具有机床参数及补偿方法的知识。
薄膜型半导体应变片
这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。
外延型半导体应变片
这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 非接触式检测轴承误差。
利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。IDS与各种目标和目标材料兼容。上海激光干涉仪
紧凑，适用于设备集成。黄浦区高精度激光干涉仪
检验周期规定
A.控制盘和配电盘仪表的定期检验应与该仪表所连接的主要设备的大修日期一致，不应延误。但主要设备主要线路的仪表应每年检验一次，其它盘的仪表每四年至少检验一次；
B.对运行中设备的控制盘仪表的指示发生疑问时，可用标准仪表在其工作点上用比较法进行核对；
C.可携式仪表(包括台表)的检验，每年至少一次，常用的仪表每半年至少一次。经两次以上检验，证明质量好的仪表，可以延长检验期一倍。D.万用电表、钳形表每四年至少检验一次。兆欧表和接地电阻测定器每二年至少检验一次，但用于高压电路使用的钳形表和作吸收比用的兆欧表每年至少检验一次。 黄浦区高精度激光干涉仪
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