微型电流互感器称之为“仪用电流互感器”。(“仪用电流互感器”有一层含义是在实验室使用的多电流比精密电流互感器,一般用于扩大仪表量程,上海激光干涉仪位移测量。)电流互感器原理线路图微型电流互感器与变压器类似也是根据电磁感应原理工作,变压器变换的是电压而微型电流互感器变换的是电流罢了。绕组N1接被测电流,上海激光干涉仪位移测量,称为一次绕组(或原边绕组、初级绕组);绕组N2接测量仪表,称为二次绕组(或副边绕组、次级绕组)。根据不同的需要,上海激光干涉仪位移测量,组合式电流电压互感器分为V/V接线和Y/Y接线两种,以计量三相负荷平衡或不平衡时的电能。在环境条件下悬臂的共振频率,不施加压电致动器的任何振荡。上海激光干涉仪位移测量
波长的测量任何一个以波长为单位测量标准米尺的方法也就是以标准米尺为单位来测量波长的方法。以国际米为标准,利用干涉仪可精确测定光波波长。法布里-珀luo gan 涉仪(标准具)曾被用来确定波长的初级标准(镉红谱线波长)和几个次级波长标准,从而通过比较法确定其他光谱线的波长。检验光学元件泰曼干涉仪被普遍用来检验平板、棱镜和透镜等光学元件的质量。在泰曼干涉仪的一个光路中放置待检查的平板或棱镜,平板或棱镜的折射率或几何尺寸的任何不均匀性必将反映到干涉图样上。若在光路中放置透镜,可根据干涉图样了解由透镜造成的波面畸变,从而评估透镜的波像差。浦东新区电子激光干涉仪100pm/步的线性偏移被确定。
半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线,结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件,又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象(见压阻式传感器)。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。
电压影响
1 当电压自额定值偏离±10%(对比率表和由化学电源和交流电网作供电电源的兆欧表)、±15%(对整流系仪表和钳形表)或±20%(对其它仪表)时,由此引起仪表指示值的改变应不超过规定值。仪表辅助电路用电源、由内附手摇发电机作供电电源的兆欧表,当其电压自额定值偏离±10%时,指示值改变应不超过表7 规定值的一半。指示值改变的表示方法与基本误差表示方法相同。试验在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点进行,整步表在同步点进行。如果在仪表上注明额定电压范围,则在此范围内的任一电压下,仪表基本误差应不超过规定值。
2 检验电压影响时应遵守有关规定(对电压的规定除外),且应除去变差影响(可轻敲表壳)。检验相位表和功率因数表时,在额定电流下进行;检验功率表时在额定功率因数下进行。 检测轴承误差在±5μm之间,由轴承误差引起。
穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组,载流(负荷电流)导线由L1至L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形(或其他形状)铁心起一次绕组作用。二次绕组直接均匀地缠绕在圆形铁心上,与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷串联形成闭合回路,由于穿心式电流互感器不设一次绕组,其变比根据一次绕组穿过互感器铁心中的匝数确定,穿心匝数越多,变比越小;反之,穿心匝数越少,变比越大,额定电流比I1/n:式中I1——穿心一匝时一次额定电流;n——穿心匝数。包括与机器的数据交互接口,可实现自动测量线和误差补偿。浦东新区平台校准激光干涉仪
激光电流以高频调幅(~MHz)。上海激光干涉仪位移测量
干涉仪技术参数:5D/6D标准型:1.线性:0.5ppm.2.测量范围:40米(1D可选80米)3.线性分辨力:0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度:(1.0+0.1/m)角秒或1%显示较大值5.比较大范围:800角秒6.滚动角精度:1.0角秒7.直线度精度:(1.0+0.2/m)um或1%显示较大值8.直线度比较大范围:500um9.垂直度精度:1角秒10.温度精度:0.2摄氏度11.湿度精度:5%12.压力精度:1mmHg
从激光器发出的光束,经扩束准直后由分光镜分为两路,并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 上海激光干涉仪位移测量
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