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    (一)要解决的技术问题本发明的主要目的在于提供一种压力传感器制备方法，实现室温下的硅硅键合，消除了键合过程中高温处理给器件带来的影响，提高器件的可靠性。(二)技术方案本发明提供了一种压力传感器制造方法，该方法包括：对si衬底进行预处理；对进行预处理后的si衬底正面进行注入掺杂；对注入掺杂后的si衬底进行金属布线；对完成金属布线后的si衬底进行背面光刻刻蚀，得到感压膜片；进行硅硅室温键合，将具有感压膜片的si衬底与另一si衬底实现原子尺度的紧密结合。上述方案中，对si衬底进行预处理，包括：在si衬底正面干氧氧化一层sio2，之后再淀积一层sin，然后干法刻蚀掉正面的sin层，然后湿漂正面sio2层。上述方案中，对进行预处理后的si衬底正面进行注入掺杂，包括：对si衬底正面热氧化，之后进行p-光刻注入；在完成p-光刻注入的si衬底正面进行n+光刻注入；在完成n+隔离区的si衬底正面进行p+光刻注入；对注入掺杂后的si衬底进行高温推阱操作，实现注入离子的均匀掺杂，再用缓冲氧化物刻蚀液去除注前氧化层。其中，对si衬底正面热氧化，之后进行p-光刻注入，包括：对si衬底正面热氧化，之后在si衬底正面光刻p-压阻图形，注入b离子形成p-压阻区，去除表面上的光刻胶。

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