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霍尔效应传感器普遍应用于变频调速装置、逆变装置、ups电源、通信电源、电焊机、电力机车、变电站、数控机床、电解电镀、微机监测、电网监测等需要隔离检测电流电压的设施中。 通过霍尔电流传感器工作原理、测量方法及应用的讲解，相信大家对霍尔电流传感器应该有所了解了。霍尔电流传感器尤其是闭环式霍尔电流传感器因其宽频带、交直流两用、不易磁饱和等特点，在工业测控领域得到了普遍的应用。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。由于霍尔元件产生的电势差很小，深圳莱姆传感器公司哪家好，故通常将霍尔元件与放大器电路，深圳莱姆传感器公司哪家好、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上，称之为霍尔传感器，深圳莱姆传感器公司哪家好。霍尔传感器是霍尔类元件的总称，而大多数用户是将其作为电子固态开关来使用，又简称其为霍尔开关。深圳莱姆传感器公司哪家好
与开环霍尔电流传感器相比，闭环霍尔电流传感器多了一个补偿线圈，该线圈缠绕在铁芯上。当电流传感器通过铁芯时，铁芯感应出磁场，霍尔元器件将磁场转化成电压，该电压被运放处理后驱动电路产生一个补偿电流，该补偿电流流过线圈产生一个磁场，该磁场与原边电流产生的磁场大小相等方向相反，从而抵消原边磁场，处于磁平衡状态。所以该补偿电流就是原边电流缩放后的，缩放比例与补偿线圈的圈数呈线性关系。闭环式霍尔电流传感器又叫间接测量法。在霍尔电流传感器中，霍尔元器件是关键元器件，其性能影响着产品的性能。霍尔元器件的作用是将一定范围内的磁通量转化成电压信号，霍尔元器件将50mT内的磁通密度转化成电压信号。所以选用该芯片时，一定不要让铁芯产生的磁通密度超过50mT。深圳磁通门霍尔传感器霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为：直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。
当霍尔元件用于模拟式传感器时，这个传感器可以用于空调系统中的温度表或动力控制系统中的节气门位置传感器。霍尔元件与微分放大器连接，放大器与NPN晶体管连接。磁铁固定在旋转轴上，轴在旋转时，霍尔元件上的磁场加强。其产生的霍尔电压与磁场强度成比例。当霍尔元件用于数字信号时，例如曲轴位置传感器、凸轮轴位置传感器或车速传感器，必须首先改变电路。霍尔元件与微分放大器连接，微分放大器与施密特触发器连接。在这种配置中。传感器输出一个开或关的信号。在多数汽车电路中，霍尔传感器是电流吸收器或者使信号电路接地。要完成这项工作，需要一个NPN晶体管与施密特触发器的输出连接。磁场穿过霍尔元件，一个触发器轮上的叶片在磁场和霍尔元件之间通过。霍尔效应传感器的历史较为悠久，也是目前受欢迎的磁传感器之一。
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图2所示的半导体试样，若在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A，A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移， 当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有⑴其中EH为霍尔电场，V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则⑵由⑴、⑵两式可得⑶即霍尔电压VH（A、A′电极之间的电压）与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出 VH（伏）以及知道IIs（安）、B（高斯）和d（厘 米）可按下式计算RH（厘米3/库仑）磁平衡式电流传感器也叫霍尔闭环电流传感器，也称补偿式传感器。深圳霍尔传感器什么牌子好
霍尔效应是当流过导体或半导体的电流受到磁场影响时所产生的可测量电压。深圳莱姆传感器公司哪家好
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的，之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点，它体积小，重量轻，安装方便，功耗小，频率高还生命长，耐振动不怕油污，水汽，盐雾灰尘等污染。深圳莱姆传感器公司哪家好
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